《硅与二氧化硅界面物理：前沿研究与挑战》
作者：张晓峰
出版社：科学出版社
出版时间：2020年
《硅与二氧化硅界面物理：前沿研究与挑战》一书由著名材料科学家张晓峰教授所著，由科学出版社出版，该书系统介绍了硅与二氧化硅界面物理的基础知识、前沿研究进展以及面临的挑战，旨在为广大科研工作者和研究生提供一本全面、深入的参考书籍。
第一章：硅与二氧化硅界面物理概述
1、1 硅与二氧化硅的基本性质
1、2 硅与二氧化硅界面的形成与特性
1、3 硅与二氧化硅界面物理的研究意义
第二章：硅与二氧化硅界面物理的基础理论
2、1 界面电子结构理论
2、2 界面能带理论
2、3 界面态密度理论
第三章：硅与二氧化硅界面物理的实验研究方法
3、1 界面光谱学
3、2 界面电学特性测量
3、3 界面力学特性测量
第四章：硅与二氧化硅界面物理的前沿研究进展
4、1 硅与二氧化硅界面能带结构研究
4、2 硅与二氧化硅界面态密度研究
4、3 硅与二氧化硅界面力学特性研究
第五章：硅与二氧化硅界面物理面临的挑战与对策
5、1 界面物理研究中的关键问题
5、2 界面物理研究的发展趋势
5、3 界面物理研究在材料科学中的应用前景
本书共分为五章，从硅与二氧化硅界面物理的概述、基础理论、实验研究方法、前沿研究进展以及面临的挑战与对策等方面进行了详细阐述。
第一章介绍了硅与二氧化硅的基本性质、界面的形成与特性以及界面物理的研究意义，为后续章节的展开奠定了基础。
第二章介绍了界面电子结构理论、界面能带理论以及界面态密度理论，为读者提供了硅与二氧化硅界面物理的基础理论知识。
第三章介绍了界面光谱学、界面电学特性测量以及界面力学特性测量等实验研究方法，使读者对界面物理实验研究有了更深入的了解。
第四章重点介绍了硅与二氧化硅界面能带结构、界面态密度以及界面力学特性等方面的前沿研究进展，展示了界面物理研究领域的最新成果。
第五章分析了界面物理研究中的关键问题、发展趋势以及应用前景，为读者指明了界面物理研究的未来方向。
《硅与二氧化硅界面物理：前沿研究与挑战》一书全面、系统地介绍了硅与二氧化硅界面物理的基础知识、前沿研究进展以及面临的挑战，对于从事材料科学、固体物理、半导体物理等领域的科研工作者和研究生具有重要的参考价值。